300KW SiC-MOSFET Պինդ վիճակի բարձր հաճախականության խողովակների եռակցման սարք

Tenyes®-ի կողմից արտադրված 300 կՎտ SiC-MOSFET պինդ վիճակի բարձր հաճախականությամբ խողովակների եռակցիչը հիմնականում օգտագործվում է ածխածնային պողպատից եռակցված խողովակների ինդուկցիոն եռակցման համար: Այն առանձնանում է բարձր ջերմաստիճանի և բարձր ճնշման դիմադրությամբ, երկար սպասարկման ժամկետով և խափանումների ցածր մակարդակով:

Ուղարկել հարցում

ապրանքի նկարագրությունը

300KW SiC-MOSFET Պինդ վիճակի բարձր հաճախականության խողովակների եռակցման սարքընդունում է SiC mosfet-ը և այն ունի բարձր ջերմաստիճանի և բարձր ճնշման դիմադրություն: SiC mosfet-ը հիմնականում օգտագործվում է էներգիայի մոդուլի տախտակների վրա: Այս տեսակի ուժային տախտակներն օգտագործվում են պինդ վիճակում բարձր հաճախականությամբ խողովակների եռակցման մեջ:

300KW SiC-MOSFET Solid State High Frequency Pipe Welder

Տեխնիկական պարամետրեր.

Գնահատված ելքային հզորությունը՝ 300 կՎտ

Եռակցման ռեժիմ՝ ինդուկցիոն տեսակ

Գնահատված DC լարումը` 240 Վ

Գնահատված DC հոսանք՝ 1500A

Գնահատված հաճախականությունը՝ 300KHZ

Ամբողջ արդյունավետությունը՝ η≥85%

Էլեկտրամատակարարման լարումը. 3 փուլ 380V/50Hz (սարքավորումը կարող է աշխատել 380V±5%) լարման վրա

Էլեկտրաէներգիայի բաշխման հզորությունը՝ ≥360 կՎԱ

Կատարման բնութագրերը

Բարձր ջերմաստիճանի և բարձր ճնշման դիմադրություն. SiC-ը թույլ է տալիս ստեղծել էներգիայի սարքեր300KW SiC-MOSFET Պինդ վիճակի բարձր հաճախականության խողովակների եռակցման սարքհուսալիորեն աշխատել նույնիսկ բարձր ջերմաստիճանի պայմաններում: SiC-ն ունի մեկուսացման խզման դաշտի ուժ, որը տասն անգամ ավելի բարձր է, քան Si-ը, ինչը թույլ է տալիս արտադրել բարձր լարման էներգիայի սարքեր, որոնք ունեն դոպինգի ավելացված կոնցենտրացիաներ և ավելի բարակ դրեյֆ շերտի հաստություն՝ համեմատած Si-ի վրա հիմնված սարքերի հետ:

Սարքերի մանրանկարչություն և թեթև ձևավորում. Սիլիցիումի կարբիդ (SiC) սարքեր300KW SiC-MOSFET Պինդ վիճակի բարձր հաճախականության խողովակների եռակցման սարքառաջարկում է բարձր ջերմային հաղորդունակություն և հզորության խտություն՝ պարզեցնելով ջերմության ցրման համակարգերը և հեշտացնելով սարքի մանրացման և թեթև շինարարությունը:

Բարձր հաճախականությամբ աշխատանք և էներգիայի ցածր կորուստ. SiC սարքերը գործում են մինչև տասը անգամ ավելի հաճախականություններով, քան սիլիցիումի վրա հիմնված սարքերը, պահպանելով արդյունավետությունը առանց կորստի հաճախականության աճի հետ, ինչը հանգեցնում է էներգիայի կորստի գրեթե 50%-ով կրճատմանը: Բացի այդ, ավելացված աշխատանքային հաճախականությունը նվազեցնում է ծայրամասային բաղադրիչների ծավալը, ինչպիսիք են ինդուկտորները և տրանսֆորմատորները, ինչը հանգեցնում է համակարգի ծավալի և բաղադրիչների ծախսերի կրճատմանը:

Մենք ոչ միայն արտադրում ենք300KW SiC-MOSFET Պինդ վիճակի բարձր հաճախականության խողովակների եռակցման սարքեր, այլ նաև տրամադրում են բարձր արդյունավետությամբ և հուսալի ինդուկցիոն ջերմամշակման սարքավորումներ և որոշ լուծումներ: Բարի գալուստ խորհրդակցելու մանրամասն տեղեկությունների համար:

300KW SiC-MOSFET Solid State High Frequency Pipe Welder